Name: RQ3P300BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3P300BHTB1TR-ND
Price: 85.6196 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RQ3P300BHTB1
Číslo produktu DigiKey	846-RQ3P300BHTB1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RQ3P300BHTB1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RQ3P300BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RQ3P300BHTB1
Popis	NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 39A (Tc) 32W (Tc) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 36 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2040 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 32W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 39A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-HSMT (3,2x3)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 15,5mOhm při 10A, 10V	Základní číslo produktu RQ3P300