Name: RQ3L070ATTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3L070ATTBTR-ND
Price: 54.8856 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RQ3L070ATTB
Číslo produktu DigiKey	846-RQ3L070ATTBTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RQ3L070ATTBCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RQ3L070ATTBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RQ3L070ATTB
Popis	PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 25A (Tc) 2W (Ta) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RQ3L070ATTB Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 48 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2850 pF @ 30 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 25A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-HSMT (3,2x3)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 28mOhm při 7A, 10V	Základní číslo produktu RQ3L070