Name: RQ3G270BJFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3G270BJFRATCBTR-ND
Price: 52.7439 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RQ3G270BJFRATCB
Číslo produktu DigiKey	846-RQ3G270BJFRATCBTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RQ3G270BJFRATCBCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RQ3G270BJFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RQ3G270BJFRATCB
Popis	PCH -40V -27A, HSMT8AG, POWER MO
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 27A (Tc) 69W (Tc) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 32 nC @ 10 V
Mfr Rohm Semiconductor	Vgs (max) +5V, -20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1810 pF @ 20 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 69W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 27A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra 8-HSMT (3,2x3)
Rds zap (max) při Id, Vgs 22mOhm při 27A, 10V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 485µA