Name: RQ3G150GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3G150GNTBTR-ND
Price: 46.8633 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RQ3G150GNTB
Číslo produktu DigiKey	RQ3G150GNTBTR-ND - Páska a cívka (TR) RQ3G150GNTBCT-ND - Řezaná páska (CT) RQ3G150GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RQ3G150GNTB
Popis	MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 39A (Tc) 20W (Tc) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RQ3G150GNTB Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	39A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,2mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1450 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	20W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-HSMT (3,2x3)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	RQ3G150