Name: RQ3E120GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E120GNTBTR-ND
Price: 21.1992 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RQ3E120GNTB
Číslo produktu DigiKey	RQ3E120GNTBTR-ND - Páska a cívka (TR) RQ3E120GNTBCT-ND - Řezaná páska (CT) RQ3E120GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RQ3E120GNTB
Popis	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 12A (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RQ3E120GNTB Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 10 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 590 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2W (Ta), 16W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 12A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra 8-HSMT (3,2x3)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 8,8mOhm při 12A, 10V	Základní číslo produktu RQ3E120

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 9 139

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)