Name: RQ3E080GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080GNTBTR-ND
Price: 16.5528 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RQ3E080GNTB
Číslo produktu DigiKey	RQ3E080GNTBTR-ND - Páska a cívka (TR) RQ3E080GNTBCT-ND - Řezaná páska (CT) RQ3E080GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RQ3E080GNTB
Popis	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 8A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RQ3E080GNTB Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	16,7mOhm při 8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	5.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	295 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Ta), 15W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-HSMT (3,2x3)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	RQ3E080

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1 712

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)