Name: RQ3E075ATTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E075ATTBTR-ND
Price: 48.0249 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RQ3E075ATTB
Číslo produktu DigiKey	RQ3E075ATTBTR-ND - Páska a cívka (TR) RQ3E075ATTBCT-ND - Řezaná páska (CT) RQ3E075ATTBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RQ3E075ATTB
Popis	MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 18A (Tc) 15W (Tc) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RQ3E075ATTB Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 10.4 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 930 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 15W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 18A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-HSMT (3,2x3)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 23mOhm při 7,5A, 10V	Základní číslo produktu RQ3E075

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (3)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
DMP3008SFGQ-13	Diodes Incorporated	1 650	DMP3008SFGQ-13DICT-ND	40,74000 Kč	Similar
DMP3036SFG-7	Diodes Incorporated	3 736	DMP3036SFG-7DICT-ND	22,26000 Kč	Similar
DMP3036SFV-7	Diodes Incorporated	2 753	31-DMP3036SFV-7CT-ND	20,79000 Kč	Similar