Name: RQ3C150BCTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3C150BCTBTR-ND
Price: 44.0682 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RQ3C150BCTB
Číslo produktu DigiKey	RQ3C150BCTBTR-ND - Páska a cívka (TR) RQ3C150BCTBCT-ND - Řezaná páska (CT) RQ3C150BCTBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RQ3C150BCTB
Popis	MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 30A (Tc) 20W (Tc) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RQ3C150BCTB Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,7mOhm při 15A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,2V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	60 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4800 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	20W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-HSMT (3,2x3)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	RQ3C150