Name: RJ1P10BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RJ1P10BATTL1TR-ND
Price: 159.7442 CZK
Availability: OutOfStock

Novinka od společnosti DigiKey

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RJ1P10BATTL1
Číslo produktu DigiKey	846-RJ1P10BATTL1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RJ1P10BATTL1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RJ1P10BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RJ1P10BATTL1
Popis	PCH -100V -105A, TO-263AB, POWER
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 100 V 105A (Tc) 201W (Tc) Montáž na povrch TO-263AB
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 385 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 16600 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 201W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 105A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Rds zap (max) při Id, Vgs 11,9mOhm při 50A, 10V