Name: RF9L120BJFRATCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF9L120BJFRATCRTR-ND
Price: 41.9265 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RF9L120BJFRATCR
Číslo produktu DigiKey	846-RF9L120BJFRATCRTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RF9L120BJFRATCRCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RF9L120BJFRATCRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RF9L120BJFRATCR
Popis	PCH -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 12A (Tc) 23W (Tc) Montáž na povrch DFN2020Y7LSAA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 15.7 nC @ 10 V
Mfr Rohm Semiconductor	Vgs (max) +5V, -20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 710 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 23W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 12A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra DFN2020Y7LSAA
Rds zap (max) při Id, Vgs 106mOhm při 3A, 10V	Pouzdro 6-UDFN podložka pro odvod tepla
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 273µA