Name: RF9L120BJFRATCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF9L120BJFRATCRTR-ND
Price: 39.1314 CZK
Availability: InStock

RF9L120BJFRATCR
Číslo produktu DigiKey	846-RF9L120BJFRATCRTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RF9L120BJFRATCRCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RF9L120BJFRATCRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RF9L120BJFRATCR
Popis	PCH -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 12A (Tc) 23W (Tc) Montáž na povrch DFN2020Y7LSAA
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	106mOhm při 3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 273µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	+5V, -20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	710 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	23W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DFN2020Y7LSAA
Pouzdro	6-UDFN podložka pro odvod tepla

Jednotková cena bez DPH:	32,34000 Kč
Jednotková cena s DPH:	39,13140 Kč

RF9L120BJFRATCR