Name: RF4G100BGTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF4G100BGTCRTR-ND
Price: 37.3527 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RF4G100BGTCR
Číslo produktu DigiKey	846-RF4G100BGTCRTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RF4G100BGTCRCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RF4G100BGTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RF4G100BGTCR
Popis	NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch DFN2020-8S
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 10.6 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 530 pF @ 20 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra DFN2020-8S
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerUDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 14,2mOhm při 10A, 10V	Základní číslo produktu RF4G100

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 430

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)