Name: RF4E110GNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E110GNTRTR-ND
Price: 10.3334 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RF4E110GNTR
Číslo produktu DigiKey	RF4E110GNTRTR-ND - Páska a cívka (TR) RF4E110GNTRCT-ND - Řezaná páska (CT) RF4E110GNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RF4E110GNTR
Popis	MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 11A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch HUML2020L8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RF4E110GNTR Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	11,3mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	7.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	504 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	HUML2020L8
Pouzdro	8-PowerUDFN
Základní číslo produktu	RF4E110