Name: RF4E080GNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E080GNTRTR-ND
Price: 19.6867 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RF4E080GNTR
Číslo produktu DigiKey	RF4E080GNTRTR-ND - Páska a cívka (TR) RF4E080GNTRCT-ND - Řezaná páska (CT) RF4E080GNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RF4E080GNTR
Popis	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch HUML2020L8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RF4E080GNTR Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 5.8 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 295 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra HUML2020L8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerUDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 17,6mOhm při 8A, 10V	Základní číslo produktu RF4E080

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 2 030

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	16,27000 Kč
Jednotková cena s DPH:	19,68670 Kč

RF4E080GNTR