Name: RD3S100AAFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3S100AAFRATLTR-ND
Price: 99.0869 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RD3S100AAFRATL
Číslo produktu DigiKey	846-RD3S100AAFRATLTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RD3S100AAFRATLCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RD3S100AAFRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RD3S100AAFRATL
Popis	MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 190 V 10A (Tc) 85W (Tc) Montáž na povrch TO-252
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 52 nC @ 10 V
Mfr Rohm Semiconductor	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2000 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 85W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 190 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252
Rds zap (max) při Id, Vgs 182mOhm při 5A, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA	Základní číslo produktu RD3S100