Name: RD3P05BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3P05BATTL1TR-ND
Price: 83.6836 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

RD3P05BATTL1
Číslo produktu DigiKey	846-RD3P05BATTL1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RD3P05BATTL1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RD3P05BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RD3P05BATTL1
Popis	PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 100 V 50A (Tc) 101W (Tc) Montáž na povrch TO-252
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RD3P05BATTL1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	50A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	41mOhm při 25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4620 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	101W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	RD3P05

Jednotková cena bez DPH:	69,16000 Kč
Jednotková cena s DPH:	83,68360 Kč

RD3P05BATTL1