Name: RD3L08BBJHRBTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3L08BBJHRBTLTR-ND
Price: 88.4147 CZK
Availability: InStock

RD3L08BBJHRBTL
Číslo produktu DigiKey	846-RD3L08BBJHRBTLTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RD3L08BBJHRBTLCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RD3L08BBJHRBTLDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RD3L08BBJHRBTL
Popis	PCH -60V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 80A (Tc) 142W (Tc) Montáž na povrch TO-252
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	80A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	10,7mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1,2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	145 nC @ 10 V
Vgs (max)	+5V, -20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7550 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	142W (Tc)
Provozní teplota	175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63

Jednotková cena bez DPH:	73,07000 Kč
Jednotková cena s DPH:	88,41470 Kč

RD3L08BBJHRBTL