Name: RD3L08BBJHRBTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3L08BBJHRBTLTR-ND
Price: 93.8718 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RD3L08BBJHRBTL
Číslo produktu DigiKey	846-RD3L08BBJHRBTLTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RD3L08BBJHRBTLCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RD3L08BBJHRBTLDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RD3L08BBJHRBTL
Popis	PCH -60V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 80A (Tc) 142W (Tc) Montáž na povrch TO-252
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 145 nC @ 10 V
Mfr Rohm Semiconductor	Vgs (max) +5V, -20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 7550 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 142W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 80A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252
Rds zap (max) při Id, Vgs 10,7mOhm při 10A, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1,2mA