Name: RD3H080SPTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3H080SPTL1TR-ND
Price: 37.5584 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RD3H080SPTL1
Číslo produktu DigiKey	RD3H080SPTL1TR-ND - Páska a cívka (TR) RD3H080SPTL1CT-ND - Řezaná páska (CT) RD3H080SPTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RD3H080SPTL1
Popis	MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 45 V 8A (Ta) 15W (Tc) Montáž na povrch TO-252
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RD3H080SPTL1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	45 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	91mOhm při 8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	9 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1000 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	15W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	RD3H080