Name: RD3H080SPTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3H080SPTL1TR-ND
Price: 49.0413 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RD3H080SPTL1
Číslo produktu DigiKey	RD3H080SPTL1TR-ND - Páska a cívka (TR) RD3H080SPTL1CT-ND - Řezaná páska (CT) RD3H080SPTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RD3H080SPTL1
Popis	MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 45 V 8A (Ta) 15W (Tc) Montáž na povrch TO-252
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RD3H080SPTL1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 9 nC @ 5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1000 pF @ 10 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 15W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 45 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra TO-252
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4V, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 91mOhm při 8A, 10V	Základní číslo produktu RD3H080

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 114

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)