Name: RA1C030LDT5CL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RA1C030LDT5CLTR-ND
Price: 17.0247 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RA1C030LDT5CL
Číslo produktu DigiKey	846-RA1C030LDT5CLTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RA1C030LDT5CLCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RA1C030LDT5CLDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RA1C030LDT5CL
Popis	NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006:
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 3A (Ta) 1W (Ta) Montáž na povrch DSN1006-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RA1C030LDT5CL Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,5V při 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1.5 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +7V, -0,2V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 150 pF @ 10 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra DSN1006-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,8V, 4,5V	Pouzdro 3-XFDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 140mOhm při 3A, 4,5V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 0

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	14,07000 Kč
Jednotková cena s DPH:	17,02470 Kč

RA1C030LDT5CL