R6020KNZ1C9 Rohm Semiconductor | Diskrétní polovodičové produkty

R6020KNZ1C9
Číslo produktu DigiKey	R6020KNZ1C9-ND
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	R6020KNZ1C9
Popis	MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 20A (Tc) 231W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	R6020KNZ1C9 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	196mOhm při 9,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1550 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	231W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247
Pouzdro	TO-247-3

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

Souhlasím se zasíláním marketingových e-mailů od společnosti DigiKey (volitelné). Beru na vědomí, že svůj souhlas mohu kdykoli odvolat. Přečtěte si prosím naše Prohlášení o ochraně osobních údajů.

Informace

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

Kontaktujte nás

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

R6020KNZ1C9

Informace

Nápověda

Kontaktujte nás

Sledujte nás