R6020ENZ1C9 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


Rohm Semiconductor
Skladem : 550
Jednotková cena : 136,49000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 296
Jednotková cena : 143,21000 Kč
Katalogový list

Similar


Microchip Technology
Skladem : 0
Jednotková cena : 241,05700 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 227
Jednotková cena : 114,23000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 510
Jednotková cena : 334,50000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 289,98000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 406,31000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 597,98103 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 439
Jednotková cena : 120,53000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 5 415
Jednotková cena : 151,40000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 95,96000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 13
Jednotková cena : 186,25000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

R6020ENZ1C9

Číslo produktu DigiKey
R6020ENZ1C9-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
R6020ENZ1C9
Popis
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
R6020ENZ1C9 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4V při 1mA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
60 nC @ 10 V
Balení
Trubice
Vgs (max)
±20V
Stav součásti
Zastaralé
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1400 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
120W (Tc)
Technologie
Provozní teplota
150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Způsob montáže
Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Pouzdro
Rds zap (max) při Id, Vgs
196mOhm při 9,5A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (12)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
R6020ENZ4C13Rohm Semiconductor550846-R6020ENZ4C13-ND136,49000 KčDirect
R6020ENZC17Rohm Semiconductor296846-R6020ENZC17-ND143,21000 KčSimilar
APT34M60BMicrochip Technology0APT34M60B-ND241,05700 KčSimilar
IPW65R190C7XKSA1Infineon Technologies227IPW65R190C7XKSA1-ND114,23000 KčSimilar
IXFH36N60PIXYS510IXFH36N60P-ND334,50000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.