R6020ENZ1C9 Rohm Semiconductor | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

R6020ENZ1C9
Číslo produktu DigiKey	R6020ENZ1C9-ND
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	R6020ENZ1C9
Popis	MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	R6020ENZ1C9 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	196mOhm při 9,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1400 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	120W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247
Pouzdro	TO-247-3