Direct
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

R6020ENZ1C9 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | R6020ENZ1C9-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | R6020ENZ1C9 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Průchozí otvor TO-247 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | R6020ENZ1C9 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 1mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 60 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±20V |
Stav součásti Zastaralé | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1400 pF @ 25 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 120W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-247 |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 196mOhm při 9,5A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| R6020ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | 550 | 846-R6020ENZ4C13-ND | 136,49000 Kč | Direct |
| R6020ENZC17 | Rohm Semiconductor | 296 | 846-R6020ENZC17-ND | 143,21000 Kč | Similar |
| APT34M60B | Microchip Technology | 0 | APT34M60B-ND | 241,05700 Kč | Similar |
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | 227 | IPW65R190C7XKSA1-ND | 114,23000 Kč | Similar |
| IXFH36N60P | IXYS | 510 | IXFH36N60P-ND | 334,50000 Kč | Similar |











