QS8M13TCR je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 1 877
Jednotková cena : 1,06000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 12 402
Jednotková cena : 1,22000 Kč
Katalogový list
Pole MOSFET 30V 6A, 5A 1,5W Montáž na povrch TSMT8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Pole MOSFET 30V 6A, 5A 1,5W Montáž na povrch TSMT8
846~TSMT8~~8

QS8M13TCR

Číslo produktu DigiKey
QS8M13TCRTR-ND - Páska a cívka (TR)
QS8M13TCRCT-ND - Řezaná páska (CT)
QS8M13TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
QS8M13TCR
Popis
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 30V 6A, 5A 1,5W Montáž na povrch TSMT8
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
QS8M13TCR Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
2,5V při 1mA
Výrobce
Rohm Semiconductor
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
5,5nC při 5V
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
390pF při 10V
Stav součásti
Zastaralé
Výkon - max
1,5W
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Konfigurace
N a P-kanál
Způsob montáže
Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Pouzdro
8-SMD, Ploché vodiče
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30V
Dodávaná velikost pouzdra
TSMT8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
6A, 5A
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
28mOhm při 6A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (2)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
QH8MA3TCRRohm Semiconductor1 877QH8MA3TCRCT-ND1,06000 KčSimilar
ECH8661-TL-Honsemi12 402ECH8661-TL-HOSCT-ND1,22000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.