Name: QS8J4TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8J4TR-ND
Price: 41.7692 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

QS8J4TR
Číslo produktu DigiKey	QS8J4TR-ND - Páska a cívka (TR) QS8J4CT-ND - Řezaná páska (CT) QS8J4DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	QS8J4TR
Popis	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 4A 550mW Montáž na povrch TSMT8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	QS8J4TR Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 P-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4A
Rds zap (max) při Id, Vgs	56mOhm při 4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	13nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	800pF při 10V
Výkon - max	550mW
Provozní teplota	150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SMD, Ploché vodiče
Dodávaná velikost pouzdra	TSMT8
Základní číslo produktu	QS8J4