Pole MOSFET 12V 4A 550mW Montáž na povrch TSMT8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Pole MOSFET 12V 4A 550mW Montáž na povrch TSMT8
846~TSMT8~~8

QS8J2TR

Číslo produktu DigiKey
846-QS8J2TR-ND - Páska a cívka (TR)
846-QS8J2CT-ND - Řezaná páska (CT)
846-QS8J2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
QS8J2TR
Popis
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Standardní dodací lhůta výrobce
16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 12V 4A 550mW Montáž na povrch TSMT8
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
1V při 1mA
Výrobce
Rohm Semiconductor
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
20nC při 4,5V
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1940pF při 6V
Stav součásti
Aktivní
Výkon - max
550mW
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Konfigurace
2 P-kanál (duální)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně, 1,5V pohon
Pouzdro
8-SMD, Ploché vodiče
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
12V
Dodávaná velikost pouzdra
TSMT8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
4A
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
36mOhm při 4A, 4,5V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 6 461
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Jakmile dojde k vyčerpání skladových zásob tohoto výrobku, bude se jeho dodání řídit standardním balením a dodací lhůtou výrobce.
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT)
Množství Jednotková cena Celk. cena
132,95000 Kč32,95 Kč
1020,79300 Kč207,93 Kč
10013,82930 Kč1 382,93 Kč
50010,83568 Kč5 417,84 Kč
1 0009,87216 Kč9 872,16 Kč
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 0008,86442 Kč26 593,26 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:32,95000 Kč
Jednotková cena s DPH:39,86950 Kč