Name: QS8J13TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8J13TR-ND
Price: 31.8351 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

QS8J13TR
Číslo produktu DigiKey	QS8J13TR-ND - Páska a cívka (TR) QS8J13CT-ND - Řezaná páska (CT) QS8J13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	QS8J13TR
Popis	MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 12V 5,5A 1,25W Montáž na povrch TSMT8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 P-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	12V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,5A
Rds zap (max) při Id, Vgs	22mOhm při 5,5A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	60nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6300pF při 6V
Výkon - max	1,25W
Provozní teplota	150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SMD, Ploché vodiče
Dodávaná velikost pouzdra	TSMT8
Základní číslo produktu	QS8J13