Name: QS6J11TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS6J11TR-ND
Price: 25.2164 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

QS6J11TR
Číslo produktu DigiKey	QS6J11TR-ND - Páska a cívka (TR) QS6J11CT-ND - Řezaná páska (CT) QS6J11DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	QS6J11TR
Popis	MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 12V 2A 600mW Montáž na povrch TSMT6 (SC-95)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	QS6J11TR Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 P-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	12V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2A
Rds zap (max) při Id, Vgs	105mOhm při 2A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6,5nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	770pF při 6V
Výkon - max	600mW
Provozní teplota	150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Dodávaná velikost pouzdra	TSMT6 (SC-95)
Základní číslo produktu	QS6J11