Name: HT8KF6HTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HT8KF6HTB1TR-ND
Price: 61.5769 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

HT8KF6HTB1
Číslo produktu DigiKey	846-HT8KF6HTB1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-HT8KF6HTB1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-HT8KF6HTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	HT8KF6HTB1
Popis	150V 7.0A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 150V 2,5A (Ta), 7A (Tc) 2W (Ta), 14W (Tc) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 1mA
Výrobce Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6,4nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 315pF při 75V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 2W (Ta), 14W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,5A (Ta), 7A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-HSMT (3,2x3)
Rds zap (max) při Id, Vgs 214mOhm při 2,5A, 10V