Name: HT8KE6TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HT8KE6TB1TR-ND
Price: 58.0437 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

HT8KE6TB1
Číslo produktu DigiKey	846-HT8KE6TB1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-HT8KE6TB1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-HT8KE6TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	HT8KE6TB1
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 4,5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 14W (Tc) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Výrobce Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6,7nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 305pF při 50V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 2W (Ta), 14W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4,5A (Ta), 13A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-HSMT (3,2x3)
Rds zap (max) při Id, Vgs 57mOhm při 4,5A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 2 900

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	47,97000 Kč
Jednotková cena s DPH:	58,04370 Kč

HT8KE6TB1