Name: HS8K1TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HS8K1TBTR-ND
Price: 22.4334 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

HS8K1TB
Číslo produktu DigiKey	HS8K1TBTR-ND - Páska a cívka (TR) HS8K1TBCT-ND - Řezaná páska (CT) HS8K1TBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	HS8K1TB
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch HSML3030L10
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Ta), 11A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	14,6mOhm při 10A, 10V, 11,8mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6nC při 10V, 7,4nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	348pF při 15V, 429pF při 15V
Výkon - max	2W (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-UDFN podložka pro odvod tepla
Dodávaná velikost pouzdra	HSML3030L10
Základní číslo produktu	HS8K1