Name: HS8K1TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HS8K1TBTR-ND
Price: 34.5576 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

HS8K1TB
Číslo produktu DigiKey	HS8K1TBTR-ND - Páska a cívka (TR) HS8K1TBCT-ND - Řezaná páska (CT) HS8K1TBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	HS8K1TB
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch HSML3030L10
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Výrobce Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6nC při 10V, 7,4nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 348pF při 15V, 429pF při 15V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 2W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Pouzdro 8-UDFN podložka pro odvod tepla
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10A (Ta), 11A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra HSML3030L10
Rds zap (max) při Id, Vgs 14,6mOhm při 10A, 10V, 11,8mOhm při 11A, 10V	Základní číslo produktu HS8K1

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 9 271

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)