Name: HS8K11TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HS8K11TBTR-ND
Price: 27.0072 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

HS8K11TB
Číslo produktu DigiKey	HS8K11TBTR-ND - Páska a cívka (TR) HS8K11TBCT-ND - Řezaná páska (CT) HS8K11TBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	HS8K11TB
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 7A, 11A 2W Montáž na povrch HSML3030L10
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	HS8K11TB Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Výrobce Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 11,1nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 500pF při 15V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 2W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-UDFN podložka pro odvod tepla
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra HSML3030L10
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 7A, 11A	Základní číslo produktu HS8K11
Rds zap (max) při Id, Vgs 17,9mOhm při 7A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 186

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Jakmile dojde k vyčerpání skladových zásob tohoto výrobku, bude se jeho dodání řídit standardním balením a dodací lhůtou výrobce.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT)

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	22,32000 Kč
Jednotková cena s DPH:	27,00720 Kč

HS8K11TB