Name: HP8MA2TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HP8MA2TB1TR-ND
Price: 70.3736 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

HP8MA2TB1
Číslo produktu DigiKey	HP8MA2TB1TR-ND - Páska a cívka (TR) HP8MA2TB1CT-ND - Řezaná páska (CT) HP8MA2TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	HP8MA2TB1
Popis	MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 18A (Ta), 15A (Ta) 3W (Ta) Montáž na povrch 8-HSOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	HP8MA2TB1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Výrobce Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 22nC při 10V, 25nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1100pF při 15V, 1250pF při 15V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 3W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Konfigurace N a P-kanál	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 18A (Ta), 15A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra 8-HSOP
Rds zap (max) při Id, Vgs 9,6mOhm při 18A, 10V, 17,9mOhm při 15A, 10V	Základní číslo produktu HP8MA2