Name: HP8JE5TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HP8JE5TB1TR-ND
Price: 75.7097 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

HP8JE5TB1
Číslo produktu DigiKey	846-HP8JE5TB1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-HP8JE5TB1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-HP8JE5TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	HP8JE5TB1
Popis	MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 4,5A (Ta), 12,5A (Tc) 3W (Ta), 21W (Tc) Montáž na povrch 8-HSOP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Výrobce Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 38nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1370pF při 50V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 3W (Ta), 21W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Konfigurace 2 P-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4,5A (Ta), 12,5A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-HSOP
Rds zap (max) při Id, Vgs 127mOhm při 4,5A, 10V