Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 400A (Tc) 2450W (Tc) Modul
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 400A (Tc) 2450W (Tc) Modul
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM400D12P2G003

Číslo produktu DigiKey
846-BSM400D12P2G003-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
BSM400D12P2G003
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce
27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 400A (Tc) 2450W (Tc) Modul
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Rohm Semiconductor
Řada
-
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
400A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
-
Vgs(th) (max) při Id
4V při 85mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
38000pF při 10V
Výkon - max
2450W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
Modul
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 4
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Jakmile dojde k vyčerpání skladových zásob tohoto výrobku, bude se jeho dodání řídit standardním balením a dodací lhůtou výrobce.
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
143 996,13000 Kč43 996,13 Kč
Jednotková cena bez DPH:43 996,13000 Kč
Jednotková cena s DPH:53 235,31730 Kč