Name: BSM180D12P2E002
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSM180D12P2E002-ND
Price: 17050.715 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

BSM180D12P2E002
cms-digikey-product-number	846-BSM180D12P2E002-ND
cms-manufacturer	Rohm Semiconductor
cms-manufacturer-product-number	BSM180D12P2E002
cms-description	MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
cms-standard-lead-time	22 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Montáž na šasi Modul
cms-datasheet	cms-datasheet

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	204A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	-
Vgs(th) (max) při Id	4V při 35,2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	-
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	18 000pF při 10V
Výkon - max	1360W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	Modul
Základní číslo produktu	BSM180