BSM180D12P2E002
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
BSM180D12P2E002
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

Číslo produktu DigiKey
846-BSM180D12P2E002-ND
Výrobce
Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce
BSM180D12P2E002
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce
22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Montáž na šasi Modul
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Rohm Semiconductor
Řada
-
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
204A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
-
Vgs(th) (max) při Id
4V při 35,2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
18 000pF při 10V
Výkon - max
1360W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
Modul
Základní číslo produktu
BSM180
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 4
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
114 240,33000 Kč14 240,33 Kč
Jednotková cena bez DPH:14 240,33000 Kč
Jednotková cena s DPH:17 230,79930 Kč