Name: BSM180D12P2E002
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSM180D12P2E002-ND
Price: 17188.2315 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSM180D12P2E002
Číslo produktu DigiKey	846-BSM180D12P2E002-ND
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	BSM180D12P2E002
Popis	MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Montáž na šasi Modul
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 35,2mA
Výrobce Rohm Semiconductor	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 18 000pF při 10V
Balení Hromadné balení	Výkon - max 1360W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie Karbid křemíku (SiC)	Způsob montáže Montáž na šasi
Konfigurace 2 N-kanál (polomůstkový)	Pouzdro Modul
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200V (1,2kV)	Dodávaná velikost pouzdra Modul
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 204A (Tc)	Základní číslo produktu BSM180