PDTC114ET215 NXP Semiconductors | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PDTC114ET215
Číslo produktu DigiKey	2156-PDTC114ET215-NXP-ND
Výrobce	NXP Semiconductors
Číslo produktu výrobce	PDTC114ET215
Popis	TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) NPN - s předpěťovým obvodem 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Montáž na povrch SOT23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Bipolární (BJT) Bipolární tranzistory - jednoduché a s předpěťovým obvodem
Výrobce	NXP Semiconductors
Řada	-
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru	NPN - s předpěťovým obvodem
Proud kolektoru (Ic) (max)	100 mA
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)	50 V
Včetně rezistorů	R1 a R2
Odpor - báze (R1)	10 kOhms
Odpor - emitor- báze (R2)	10 kOhms
Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce	30 při 5mA, 5V
Saturace Vce (max) při Ib, Ic	150mV při 500µA, 10mA
Zbytkový proud kolektoru (max)	1µA
Přechodový kmitočet	230 MHz
Výkon - max	250 mW
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodávaná velikost pouzdra	SOT23-3 (TO-236)