NSVEMD4DXV6T5G onsemi | Pole bipolárních tranzistorů, s předpěťovým obvodem

NSVEMD4DXV6T5G není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

Similar

Diodes Incorporated

Skladem : 0

Jednotková cena : 2,06578 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NSVEMD4DXV6T5G
Číslo produktu DigiKey	2156-NSVEMD4DXV6T5G-488-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NSVEMD4DXV6T5G
Popis	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) 1 NPN, 1 NPN - s předpěťovým obvodem 50V 100mA 357mW Montáž na povrch SOT-563
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Bipolární (BJT) Pole bipolárních tranzistorů, s předpěťovým obvodem	Saturace Vce (max) při Ib, Ic 250mV při 300µA, 10mA
Výrobce onsemi	Zbytkový proud kolektoru (max) 500nA
Balení Hromadné balení	Výkon - max 357mW
Stav součásti Aktivní	Třída Automobilový průmysl
Typ tranzistoru 1 NPN, 1 NPN - s předpěťovým obvodem	Kvalifikace AEC-Q101
Proud kolektoru (Ic) (max) 100mA	Způsob montáže Montáž na povrch
Průrazné napětí kolektor - emitor (max) 50V	Pouzdro SOT-563, SOT-666
Odpor - báze (R1) 47kOhm	Dodávaná velikost pouzdra SOT-563
Odpor - emitor- báze (R2) 47kOhm	Základní číslo produktu EMD4
Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce 80 při 5mA, 10V