IRF60B217 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

IRF60B217 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 928

Jednotková cena : 66,11000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF60B217
Číslo produktu DigiKey	IRF60B217-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF60B217
Popis	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 60A (Tc) 83W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF60B217 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,7V při 50µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 66 nC @ 10 V
Řada StrongIRFET™	Vgs (max) ±20V
Balení Trubice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2230 pF @ 25 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 83W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-220AB
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 60A (Tc)	Pouzdro TO-220-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu IRF60B217
Rds zap (max) při Id, Vgs 9mOhm při 36A, 10V