IPA50R350CPXKSA1 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IPA50R350CPXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Infineon Technologies

Skladem : 119

Jednotková cena : 34,52000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 1 263

Jednotková cena : 44,63000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 903

Jednotková cena : 100,62000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPA50R350CPXKSA1
Číslo produktu DigiKey	IPA50R350CPXKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPA50R350CPXKSA1
Popis	MOSFET N-CH 500V 10A TO220-FP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 500 V 10A (Tc) 32W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-31
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPA50R350CPXKSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	350mOhm při 5,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 370µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1020 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	32W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-3-31
Pouzdro	Plná výzbroj TO-220-3
Základní číslo produktu	IPA50R350