TPH3208LSG Renesas Electronics Corporation | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

TPH3208LSG je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

IXYS

Skladem : 4 207

Jednotková cena : 6,65000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPH3208LSG
Číslo produktu DigiKey	TPH3208LSG-ND
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	TPH3208LSG
Popis	GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Montáž na povrch 3-PQFN (8x8)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,6V při 300µA
Mfr Renesas Electronics Corporation	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 42 nC @ 8 V
Balení Trubice	Vgs (max) ±18V
Stav součásti Zastaralé	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 760 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 96W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 20A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 3-PQFN (8x8)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro 3-PowerDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 130mOhm při 14A, 8V