N-kanál 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Montáž na povrch 4-PQFN (8x8)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Montáž na povrch 4-PQFN (8x8)
Welcome to the GaN Revolution!
Transform talks latest developments in GaN technology

TPH3206LDB

Číslo produktu DigiKey
TPH3206LDB-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
TPH3206LDB
Popis
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Montáž na povrch 4-PQFN (8x8)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
2,6V při 500µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Balení
Trubice
Vgs (max)
±18V
Stav součásti
Zastaralé
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
720 pF @ 480 V
Typ tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
81W (Tc)
Technologie
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Způsob montáže
Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
4-PQFN (8x8)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Pouzdro
Rds zap (max) při Id, Vgs
180mOhm při 10A, 8V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí.