TPH3205WSBQA Renesas Electronics Corporation | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

TPH3205WSBQA je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Renesas Electronics Corporation

Skladem : 5

Jednotková cena : 18,05000 Kč

Similar

IXYS

Skladem : 5 072

Jednotková cena : 13,10000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPH3205WSBQA
Číslo produktu DigiKey	TPH3205WSBQA-ND
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	TPH3205WSBQA
Popis	GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 35A (Tc) 125W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 42 nC @ 8 V
Mfr Renesas Electronics Corporation	Vgs (max) ±18V
Balení Trubice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2200 pF @ 400 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 125W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 35A (Tc)	Způsob montáže Průchozí otvor
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Dodávaná velikost pouzdra TO-247-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 62mOhm při 22A, 8V	Pouzdro TO-247-3
Vgs(th) (max) při Id 2,6V při 700µA	Základní číslo produktu TPH3205