TP65H035G4WSQA
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
TP65H035G4WSQA
Welcome to the GaN Revolution!
Transform talks latest developments in GaN technology

TPH3205WSBQA

Číslo produktu DigiKey
TPH3205WSBQA-ND
Výrobce
Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce
TPH3205WSBQA
Popis
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 35A (Tc) 125W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
62mOhm při 22A, 8V
Vgs(th) (max) při Id
2,6V při 700µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (max)
±18V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2200 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí.