TPD3215M Renesas Electronics Corporation | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPD3215M
Číslo produktu DigiKey	TPD3215M-ND
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	TPD3215M
Popis	MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 600V 70A (Tc) 470W Průchozí otvor Modul
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Řada	-
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	70A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	34mOhm při 30A, 8V
Vgs(th) (max) při Id	-
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28nC při 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2260pF při 100V
Výkon - max	470W
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Průchozí otvor
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	Modul
Základní číslo produktu	TPD3215