Name: RJK0853DPB-00#J5
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK0853DPB-00#J5TR-ND
Price: 103.1525 CZK
Availability: InStock

N-kanál 80 V 40A (Ta) 65W (Tc) Montáž na povrch LFPAK

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RJK0853DPB-00#J5
Číslo produktu DigiKey	RJK0853DPB-00#J5TR-ND - Páska a cívka (TR) RJK0853DPB-00#J5CT-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	RJK0853DPB-00#J5
Popis	MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 40A (Ta) 65W (Tc) Montáž na povrch LFPAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RJK0853DPB-00#J5 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 40 nC @ 4.5 V
Mfr Renesas Electronics Corporation	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6170 pF @ 10 V
Stav součásti Datum posledního nákupu	Rozptylový výkon (Max) 65W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Dodávaná velikost pouzdra LFPAK
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 40A (Ta)	Pouzdro SC-100, SOT-669
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu RJK0853
Rds zap (max) při Id, Vgs 8mOhm při 20A, 10V