Name: RJK0654DPB-00#J5
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK0654DPB-00#J5TR-ND
Price: 91.355 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RJK0654DPB-00#J5
Číslo produktu DigiKey	RJK0654DPB-00#J5TR-ND - Páska a cívka (TR) RJK0654DPB-00#J5CT-ND - Řezaná páska (CT) RJK0654DPB-00#J5DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	RJK0654DPB-00#J5
Popis	MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 30A (Ta) 55W (Tc) Montáž na povrch LFPAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RJK0654DPB-00#J5 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 8,3mOhm při 15A, 10V
Mfr Renesas Electronics Corporation	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 27 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Datum posledního nákupu	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2000 pF @ 10 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 55W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra LFPAK
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro SC-100, SOT-669