Name: RJK0330DPB-01#J0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK0330DPB-01#J0TR-ND
Price: 85.3292 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RJK0330DPB-01#J0
Číslo produktu DigiKey	RJK0330DPB-01#J0TR-ND - Páska a cívka (TR) RJK0330DPB-01#J0CT-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	RJK0330DPB-01#J0
Popis	MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 45A (Ta) 55W (Tc) Montáž na povrch LFPAK
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	45A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,7mOhm při 22,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	-
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	27 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4300 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	55W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	LFPAK
Pouzdro	SC-100, SOT-669
Základní číslo produktu	RJK0330