NP180N04TUG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NP180N04TUG-E1-AY
Číslo produktu DigiKey	NP180N04TUG-E1-AY-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	NP180N04TUG-E1-AY
Popis	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 180A (Tc) 1,8W (Ta), 288W (Tc) Montáž na povrch TO-263-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NP180N04TUG-E1-AY Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Renesas Electronics Corporation	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 390 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR)	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Zastaralé	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 25700 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,8W (Ta), 288W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 180A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-263-7
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,5mOhm při 90A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Zastaralý

Tento produkt se již nevyrábí.

NP180N04TUG-E1-AY