PJW3N10A_R2_00001 Panjit International Inc. | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PJW3N10A_R2_00001
Číslo produktu DigiKey	3757-PJW3N10A_R2_00001TR-ND - Páska a cívka (TR) 3757-PJW3N10A_R2_00001CT-ND - Řezaná páska (CT) 3757-PJW3N10A_R2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Panjit International Inc.
Číslo produktu výrobce	PJW3N10A_R2_00001
Popis	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 2,2A (Ta) 3,1W (Ta) Montáž na povrch SOT-223
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Mfr Panjit International Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 9.1 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Zastaralé	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 508 pF @ 30 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3,1W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,2A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-223
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-261-4, TO-261AA
Rds zap (max) při Id, Vgs 310mOhm při 2,2A, 10V	Základní číslo produktu PJW3N10A

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 4 304

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Tento produkt se již nevyrábí a po vyčerpání skladových zásob nebude znovu naskladněn.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT)

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	11,55000 Kč
Jednotková cena s DPH:	13,97550 Kč

PJW3N10A_R2_00001