Name: RFD16N06LESM9A
Brand: onsemi
SKU: RFD16N06LESM9ATR-ND
Price: 66.2233 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RFD16N06LESM9A
Číslo produktu DigiKey	RFD16N06LESM9ATR-ND - Páska a cívka (TR) RFD16N06LESM9ACT-ND - Řezaná páska (CT) RFD16N06LESM9ADKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	RFD16N06LESM9A
Popis	MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 16A (Tc) 90W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	16A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	47mOhm při 16A, 5V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	62 nC @ 10 V
Vgs (max)	+10V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1350 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	90W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	RFD16N06