
NXVF6532M3TG01 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 5556-NXVF6532M3TG01-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | NXVF6532M3TG01 |
Popis | SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 650V 31A (Tc) 65,2W (Tj) Průchozí otvor APM16 |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | onsemi | |
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | Karbid křemíku (SiC) | |
Konfigurace | 4 N-kanál (polomůstek) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 31A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 44mOhm při 15A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 7,5mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 58nC při 18V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1215pF při 400V | |
Výkon - max | 65,2W (Tj) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Pouzdro | 13-SSIP podložka pro odvod tepla, Tvarované přívody | |
Dodávaná velikost pouzdra | APM16 |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 516,55000 Kč | 516,55 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 516,55000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 625,02550 Kč |




