NXH35C120L2C2S1G onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

NXH35C120L2C2S1G je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

Rochester Electronics, LLC

Skladem : 882

Jednotková cena : 2 240,56333 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NXH35C120L2C2S1G
Číslo produktu DigiKey	488-NXH35C120L2C2S1G-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NXH35C120L2C2S1G
Popis	IGBT MOD 1200V 35A 20MW 26-DIP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	IGBT modul Třífázový invertor s brzdou 1200 V 35 A 20 mW Průchozí otvor 26-DIP

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Moduly IGBT
Výrobce	onsemi
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru IGBT	-
Konfigurace	Třífázový invertor s brzdou
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)	1200 V
Proud kolektoru (Ic) (max)	35 A
Výkon - max	20 mW
Vce(zap) (max) při Vge, Ic	2,4V při 15V, 35A
Zbytkový proud kolektoru (max)	250 µA
Vstupní kapacita (Cies) při Vce	8.33 nF @ 20 V
Vstup	Třífázový můstkový usměrňovač
Termistor NTC	Ano
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Průchozí otvor
Pouzdro	Modul 26-PowerDIP (1,199", 47,20mm)
Dodávaná velikost pouzdra	26-DIP
Základní číslo produktu	NXH35