Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 51A (Tc) 119W (Tj) Montáž na šasi 22-PIM (33,8x42,5)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 51A (Tc) 119W (Tj) Montáž na šasi 22-PIM (33,8x42,5)
NXH020F120MNF1PTG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH020F120MNF1PTG

Číslo produktu DigiKey
5556-NXH020F120MNF1PTG-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
NXH020F120MNF1PTG
Popis
MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Standardní dodací lhůta výrobce
21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 51A (Tc) 119W (Tj) Montáž na šasi 22-PIM (33,8x42,5)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
onsemi
Řada
-
Balení
Nosič
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
4 N-kanál (polomůstek)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
51A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
30mOhm při 50A, 20V
Vgs(th) (max) při Id
4,3V při 20mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
213,5nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2420pF při 800V
Výkon - max
119W (Tj)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
22-PIM (33,8x42,5)
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 28
Skladové zásoby výrobce: 2 632
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Nosič
Množství Jednotková cena Celk. cena
13 448,29000 Kč3 448,29 Kč
282 949,55143 Kč82 587,44 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:3 448,29000 Kč
Jednotková cena s DPH:4 172,43090 Kč